Система электронно-лучевой литографии серии JBX-8100FS

Система электронно-лучевой литографии точечной печати JBX-8100FS отличается высокой производительностью, компактностью и экономией электроэнергии.

Функции

Компактный размер

Площадь, необходимая для стандартной системы, составляет 4,9 м (Ш) x 3,7 м (Г) x 2,6 м (В), что значительно меньше, чем у обычных систем.

Низкое энергопотребление

Мощность, необходимая для нормальной работы, составляет около 3 кВА, что составляет 1/3 от мощности обычных систем.

Высокая пропускная способность

Система имеет два режима экспонирования: режим высокого разрешения и режим высокой производительности, поддерживая различные типы печати, от сверхточной обработки до мелко- и среднесерийного производства. Время простоя во время экспонирования сокращено до минимума, а максимальная скорость сканирования увеличена в 1,25–2,5 раза до 125 МГц (самый высокий показатель в мире) для высокоскоростной записи.

Версия

JBX-8100FS доступен в двух версиях: G1 (базовая модель) и G2 (модель с полным набором опций). При необходимости к модели G1 можно добавить дополнительные аксессуары.

Новые функции

Опционально доступен оптический микроскоп для изучения узоров на образце без воздействия света на резист. В стандартную комплектацию входит сигнальная башня для визуального контроля работы системы.

Разрешение лазерного позиционирования

Положение столика измеряется и контролируется с шагом 0,6 нм в стандартной комплектации и с шагом 0,15 нм при наличии дополнительной опции.

Системный контроль

Универсальная операционная система Linux® в сочетании с новым графическим пользовательским интерфейсом обеспечивает простоту использования. Программа подготовки данных поддерживает как Linux®, так и Windows®.

Модель 200 кВ！

Максимальное ускоряющее напряжение в мире 200 кВ

JBX-8100FS — это система прямой записи электронного пучка (ЭЛП) с оптикой гауссового пучка, разработанная для удовлетворения требований высокой производительности и точности в широком спектре приложений.
Модульная и модернизируемая платформа подходит для различных областей применения: от создания передовых наноструктур до производства полупроводниковых приборов.

Возможность использования современных приложений, таких как голография, шкала серого и массивы микролинз

На снимках ниже показано сравнение EBL при 100 кВ и 200 кВ. При
200 кВ наблюдается меньший эффект сужения при значительно более толстом резисте.

Сравнение ускоряющего напряжения 100 кВ и 200 кВ (образец: резист толщиной 10 мкм)

Ускоряющее напряжение 100 кВ
3000 мкКл/см2

Ускоряющее напряжение 200 кВ
5000 мкКл/см2

Резист: ПММА
Толщина: 10 мкм
Размер поля: 500 мкм
Ширина рисунка: 2 мкм
Подложка: Si

Примечания:
Windows — зарегистрированный товарный знак корпорации Microsoft в США и других странах.
Linux® — зарегистрированный товарный знак Линуса Торвальдса в США и других странах.